长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产

DRAM月产能有望达到35万片晶圆,长鑫存储在典型配置9.6Gbps下,开始市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。试产数周表明该项技术尚处于风险试产早期阶段,内存内大容量的有望内存支撑。

9月1日消息,规模长鑫存储正积极扩大产能,量产

根据JEDEC规范,长鑫存储以应对日益增长的开始AI与高性能计算需求。为AI加速器与数据中心提供高带宽、试产数周

据了解,内存内总带宽可达1.2TB/s。有望8层方案可提供单堆栈24GB容量,规模

目前,量产长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月,长鑫存储12层方案则可达36GB,标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。并在未来几年持续爬坡,长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产,这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。

单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps,

堆叠方面,

考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度,HBM3E采用1024-bit位宽,

此外,预计到今年年底,距离大规模放量仍需一定时间。而业内同行通常需要两年时间。据媒体报道,当前长鑫存储的HBM3E生产规模仍较为有限,

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