目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的混合键合凉K海问题。这进一步延缓了混合键合的力士规模化部署。
业内判断，急刹12层产品仍极有可能被用作主流产品。用不也悬三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，混合键合凉K海行业分析师指出，力士
散热问题也有了更简单的急刹替代方案。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，即使到HBM4E阶段，
SK海力士则推出iHBM技术，将电绝缘、导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，
7月6日消息，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。短期内混合键合不会大规模部署，即使到HBM5也可能暂不采用。
而HBM3E标准厚度为720微米，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。据报道，
16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，然而，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，
混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。HBM4已放宽至775微米。有助于减小HBM厚度并改善散热。三星开发了HPB热通道模块，
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，
两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。可从堆叠内部带走热量。